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第572章 公布 28nm光刻(第1页)

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四月下旬,深蓝半导体忽然在官网发布公告,瞬间在国内半导体行业掀起滔天巨浪。

深蓝半导体的公告简洁有力,开篇直指核心:“历经多年技术攻关,我司28纳米光刻设备已完成全部研发流程,核心参数达到国际先进水平,良率稳定在95以上,可满足中高端芯片的规模化生产需求。”

公告明确了定价与量产计划:“28纳米光刻设备单台定价较45纳米型号高出40,量产将于第四季度正式启动,优先保障国内晶圆厂订单供应。”

最后,公告以强硬姿态收尾:“深蓝半导体将持续推进技术迭代,打破海外垄断,为国产芯片产业链自主可控提供核心支撑。”

消息一出,资本市场率先给出反应。

与深蓝半导体有关联的概念股集体暴涨,恒川机械等供应链企业股价直接涨停,市场用资金投票,彰显了对国产高端光刻机的信心。

国内晶圆厂反应最是激烈,中鑫国际等头部企业第一时间发来咨询,甚至有三家厂商直接提交了意向订单,希望能抢占首批量产设备的供应名额。

“终于不用再看海外厂商的脸色了!

28纳米光刻机自主突破,国内芯片制造的瓶颈终于要被打破了!”

某晶圆厂技术总监在行业论坛上激动留言,道出了众多从业者的心声。

鹰酱《电子工程时报》紧急发文《龙国突破28纳米光刻技术,全球半导体格局将重构》,文中直言“深蓝半导体的进展,让海外垄断厂商的技术壁垒形同虚设”

阿斯麦亚太区负责人在内部会议上紧急预警:“深蓝半导体的迭代速度远超预期,28纳米设备的性价比优势明显,我们必须加快降价与技术输出节奏,否则将失去龙国市场的主导权。”

台机电北美区代表更是忧心忡忡:“龙国本土晶圆厂获得自主光刻设备后,必然会加速产能扩张,我们在龙国的订单份额可能会进一步被挤压。”

国内的论坛与微博上,部分网友提出质疑,说国外已经开始出现20纳米光刻机,深蓝半导体虽然做出了突破,但技术依旧落后于国外。

很快,有业内人士发文科普。

深蓝半导体生产的光刻设备与外国光刻机最大的不同就是光源。

国外高端光刻机的光源是193纳米浸没式深紫外光源,而深蓝半导体光刻设备用的光源是极紫外光源,波长可以控制在13到15纳米之间,两者差距极大!

最简单的判断,就是国外生产的28纳米光刻机,需要两次曝光才能完成一张晶圆的生产,而深蓝半导体的光刻设备只需要一次。

更为重要的一点,是深蓝半导体的28纳米光刻设备,可以利用多重曝光技术,轻松生产20纳米芯片,但国外的同等级光刻机,想要做到这一点,难度却非常大。

业内人士的科普如同拨云见日,瞬间扭转了网络舆论。

“原来光源差距这么大!

一次曝光vs两次曝光,效率直接翻倍,这哪里是落后,分明是领先!”

“13-15纳米极紫外光源,这技术放在全球都是顶尖水平,难怪能轻松生产28纳米芯片!”

“之前还担心技术落后,现在看来是多虑了,深蓝半导体这是站在了世界之巅啊!”

“28纳米光刻机研发成功,是不是意味着20n芯片也研发成功了。

期待天枢三代手机能用上更先进的处理器。”

……科普帖的转发量三小时内突破500万,相关话题迅速冲上热搜,“深蓝半导体28纳米光刻机技术领先”

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