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“我们可以采取多重曝光技术，从制程上超越A**L。”
周新说。
光刻机的工艺主要分为七个步骤，初步氧化、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、离子注入和光刻胶去除。
从住友化学处买了光刻胶技术之后，在光刻胶领域新芯和国际先进水平已经没有差距了，甚至因为自身的超大芯片制造体量，导致他们在光刻胶领域逐步在积累技术优势。
“准备采用LELE技术吧，我们不能在制程上落后于A**L。”
后世华为用28nm制程的光刻机制造出了7nm的芯片，就得益于多重曝光技术，不知道哪家厂商积累的多重曝光技术，帮助华为实现了制程的突破。
这项技术可以弥补光刻机性能落后的短板，代价就是极大程度增加成本，需要反复清洗涂胶显影设备，在反复清洗－涂胶－光刻－显影－刻蚀，会大量增加光刻胶、湿化学品和设备清洗量。
如果没有周新的话，这项技术会在2008年左右被提出，然后尼康、A**L、英特尔都开始着手研发，到32nm工艺制程开始尝试使用这项技术。
未来主要三条技术路线，LELE、LFLE和SADP，这三种技术都来源于英特尔。
LELE的难度最低，周新很早就和林本坚交流过这项技术，新芯内部很早就开始研发这项技术了，通过这项技术，可以把现在40nm的芯片制程，瞬间进步到20nm，带来的代价就是芯片成本，成本至少要增加5倍。
当然如果下定决心要大规模使用这项技术，随着使用率的提高，成本自然会压下去，但是多重曝光的限制在那，再压低也不可能和正常制造芯片相比。
林本坚犹豫道：“我们和他们之间的代差很小，只是5nm的差距，我们这次要用LELE吗？”
林本坚犹豫的点在于，他认为这项技术还不够成熟，而SADP是更好的技术路线，他们已经取得一些成果了，可以再等等，等到这项技术成熟再拿出来。
周新坚决道：“要，我要在Mphone4用上20nm的芯片。”
周新能够猜到，A**L的下一招就是配合英特尔和微软推出最先进的智能手机。
靠堆料堆出一款旗舰机型出来，欧美这帮科技企业们需要有标志性产品证明自己依然是芯片领域的统治者。
“老板，果然A**L最新的光刻机受到瓦森纳协定的限制，没办法卖给我们。”
“英特尔方面以32nm的工艺制程需要先满足英特尔自身需求为由，声称Matrix要预定32nm的产能需要排期，明年都未必能够轮到Matrix。”
各类消息汇总到周新这，周新读出了一个信号，那就是微软和英特尔打算搞事。
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