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要知道此时离1985年过去了十三年。
远在旧金山湾区的胡正明教授，每天早上和往常一样，先查阅一遍自己的邮箱。
电子邮箱已经有十来年的历史，这十来年里，受益于电子邮箱，来自世界各地的科学家们交流变得更加频繁。
对于胡正明来说，每天到办公室的第一件事，也从查收纸质邮件，变成了查收电子邮件。
一封名为MOSFET模型优化的邮件，很快吸引了他的注意。
毕竟作为该模型的创造者，胡正明本人也希望能够进一步优化它。
可惜不管是他本人，还是其他科学家，都没有谁能够从数学模型的角度，对MOSFET进行优化。
“……这种临界能量和观察到的时间依赖性可以用涉及=SisH键断裂的物理模型来解释。
器件寿命与I－2sub9I1d9ΔV15t成正比。
如果由于L小或Vd大等原因导致Isub变大，则τ会变小。
因此，Isub（可能还有光发射）是τ的有力预测因子。
已发现比例常数因不同技术而异，相差100倍，这为未来通过电介质界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。
一个简单的物理模型可以将沟道场Em与所有器件参数和偏置电压相关联。
描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”
因为胡正明构建的数学模型很简单，简单的描绘了MOSFET退化的本质。
越是简单的模型，越难进行优化。
但是这封邮件，为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。
优化后的数学模型，能够解释更多的现象，从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。
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