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第809章 吃干抹净方小年求订(第10页)

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方年:“嗯?”

苗为和和气气道:“只要胜遇的4g组网方案足够优秀,配合三大电信运营商的体量,今年内发放4g牌照并无不可。”

闻言,方年眉头轻皱,然后说了句:“啊,险些忘了今天愚人节,祝苗部愚人节快乐。”

“?”

苗为眉头紧皱,面色平静的强调一句:“不是开玩笑。”

这回方年嚯了一嗓子:“嚯!

这可真是个好消息!”

“真要……发牌照,全都要感谢苗部,这可是提前加速社会发展的必要先决条件。”

见状,苗为乜了眼方年:“不错啊,你小子格局很大,眼光也真长远。”

“难怪去年就在部署你那个影响力基金全盘投入。”

“……”

方年略有讪讪:“真是什么都瞒不过苗部。”

“行了行了,这事情你知道就行。”

苗为晃晃手,问,“还有没有别的事情了?”

方年笑容满面,热情而恳切道:“没有没有,我来只是希望苗部也能偶尔过一过西方的节日,放松放松。”

苗为没好气道:“滚蛋!”

这玩意吃干抹净,就当没事人一样,真不愧是千年老狐狸。

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,!

:“不过……euv的实际进展有点辣眼睛。”

“毕竟是比欧美晚了十几年才开始研究,心急吃不了热豆腐。”

苗为安慰了一句。

“……”

其实许多人,包括苗为不明白方年为什么会如此极力坚持euv。

毕竟理论上duv可以支持到7纳米光刻。

现在全世界最先进制程的是英特尔,才搞定22纳米。

距离7纳米看起来是很遥远的。

而且到这一步,为了防止原子漏跑等,简称漏电,现在国际先进制程已经在考虑ffet工艺。

这就开始出现方年所说的技术瓶颈。

按照国际半导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距(p)的一半来算,p减少开始变缓;

偏偏3d化后,晶体管数量依旧激增,这样就显示不出工艺进步了。

于是……

下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短07,则面积缩小一半(07x07=05)这样的一个形式来简化计算。

什么叫简化计算……

即,20x07=14。

再然后是14→10→7→5→3。

那么实际上p减少了多少呢?

以台积电为例,从10纳米到7纳米,p从44纳米降到了40纳米。

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