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苗为没好气道：“滚蛋！”
这玩意吃干抹净，就当没事人一样，真不愧是千年老狐狸。
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ps：倘若有大佬来个较大打赏支持，破碗今天就去肝3更。
，！
：“不过……euv的实际进展有点辣眼睛。”
“毕竟是比欧美晚了十几年才开始研究，心急吃不了热豆腐。”
苗为安慰了一句。
“……”
其实许多人，包括苗为不明白方年为什么会如此极力坚持euv。
毕竟理论上duv可以支持到7纳米光刻。
现在全世界最先进制程的是英特尔，才搞定22纳米。
距离7纳米看起来是很遥远的。
而且到这一步，为了防止原子漏跑等，简称漏电，现在国际先进制程已经在考虑ffet工艺。
这就开始出现方年所说的技术瓶颈。
按照国际半导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距（p）的一半来算，p减少开始变缓；
偏偏3d化后，晶体管数量依旧激增，这样就显示不出工艺进步了。
于是……
下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短07，则面积缩小一半（07x07＝05）这样的一个形式来简化计算。
什么叫简化计算……
即，20x07＝14。
再然后是14→10→7→5→3。
那么实际上p减少了多少呢？
以台积电为例，从10纳米到7纳米，p从44纳米降到了40纳米。
只有坚守摩尔定律的英特尔死活在14n+、++、+++上停滞不前。
英特尔甚至想说一句：不标准的命名规则都特么是耍流氓。
这也是从终端用户角度上，更先进制程的突破，体验感并未成倍数突破的原因。
甚至可以说，英特尔的14n+++≈广泛意义上的7n。
因为两者每平方毫米晶体管数量基本相等。
综上……
方年之所以毫不犹豫alleuv。
是因为这特么眨巴眼的功夫，就必须要用到euv了。
在方年重生之前，别说瓦森纳、禁运这些，就唯一可以生产euv的asl手头上握着起码能排到五年后的订单。
原因十分简单：产不出来。
方年既然有理想有抱负，怎么可能在这里不来一手准备？
现在开始alleuv，起码五年十年后，梼杌是能搞出来点东西的。
euv（极紫外）的光源波长直接就从193纳米跳到了10~14纳米之间的，目前研究资料表明，135n波长是可用性最高的。
这样一来，在尖端光刻领域，就有了话语权。
稍顿，苗为沉吟着道：“duv光刻的进展这么顺利，前沿有无量产计划？”
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