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这位钟院士早年有海外留学经历，并在amd、ibm、sandisk等多个世界一流的芯片公司从事过cpu、flash等高性能芯片研究与产品开发工作，在国外工作了十年后，与2012年回国发展，并留在了微电子所一直到今天。
其他的功绩暂且不提，这位大佬在业界最知名的举动大概是在四年前曾经直接向英特尔宣战，向法院提起诉讼，指控intel侵犯中科院微电子所的finfet专利，要求赔偿至少2亿元，同时请求法院对酷睿系列产品实施禁售。
要知道这可不是无理取闹。
当年intel曾在中国和美国两地试图5次去无效掉中科院微电子所的这件finfet专利，最终都以失败告终。
这项华夏专利号zl201110240931.5的专利主要就是能够有效提升芯片集成度并降低制造成本，属于当年最先进的半导体技术核心专利，当年正是在这位钟院士带领下，无数人攻关获得的成功。
虽然最后这场官司以双方和解告终，但在当时的环境下的确在业内惹起了极大的轰动。
“嘿，老钟啊，我说怎么今天没看到你呢，搞了半天在实验室呢？”
张元一进门便打了声招呼。
“老张，来了啊，你来看看这个，太神奇了。
大家都来看看吧。”
回头看到张元，钟成明根本来的寒暄，直接招手说道。
“哦？来了，来了。”
一群刚进实验室的大佬们纷纷凑到了屏幕前，此时操作台电脑屏幕上显示的是通过微分干涉显微镜观察到的芯片内部结构，如果能看到芯片本体大概就会发现，昨晚三月手搓出的芯片封装已经被拆开，内部的完整结构全部通过显微镜展现在显示器上。
入目是按照一定规律排列整的管状硅，硅管体内外部分都攀附着密密麻麻的晶体管，切换角度还能看到硅底座上有线路将所有这些硅通管做着连接。
“这，三维结构的？”
“对，三维结构的！
今天拿过来的，一共给了我们三枚芯片进行检测，其中两枚在做性能方面的测试，这一枚我们直接拆开了研究内部结构。
它的基底材料依然是硅，但是晶体管全部使用的是cnt材料。
整体采用的是180nm的制作工艺，显然这工艺水平还有极大的进步空间。”
“还有刚才已经出来部分性能检测报告，具体报告等会大家都能看到，现在只能告诉大家，结果还是很喜人的。
天才的设计，真的，天才的设计。”
“他是怎么解决散热问题的？”
“散热问题，看这里，你们看这是基地跟封装上的结构，看到边缘上的碳纳米束了吧？这个设计克服了界面热阻，硅通孔侧口外壁边缘跟内部分别有四条线，这里是用碳纳米管进行填充，这种材料导热率远大于传统材料，热度更容易被传递出去，应该属于一种新的全碳散热结构。”
一排咽口水的声音，很快又有新的质疑。
“他这是怎么解决这种阵列带来的串扰问题？这些硅通管如果同时加载电信号，输出噪声的峰值应该是各个单体通管输出噪声累加的吧？这样设计真的不会有噪声串扰问题？”
“对，当时看到这个结构我最先也怀疑这个问题，但你们看啊，这是检测报告，证明了输出噪声并不比我们传统的制造更大，这个问题我也没太想清楚，不过经过一些简单的电信号测试，我发现为了解决这个问题，芯片大概率是采用了信号与地间隔排列的方式。”
“来，大家看这个动态模拟，我们已经根据这个排列做了初步的建模。
首先把工作信号注入，设定信号峰值为1v，周期分别为1ns跟0.1ns，上升时间跟下降时间为周期的4%，占空比为0.5，信号线接下端开路，上端接50Ω负载，按照电路模型运算结果显示，其峰值串扰噪声对其性能造成的影响几乎可以忽略不计。
因为即便是在其满负载运转之下，相邻信号处理始终是间隔排列的，也就是内通跟外通两种排序，对此我只能说，这真特么是天才的设计！”
大佬们面面相觑……
“还有，这里是我们预测的传输特性，通过公式大概计算了其各项电路参数，这里是阻抗参数，发现没有，这一结构除了散热之外，使用碳纳米管束通道填充技术还提高了信号传输性能，这里量子电容的影响基本可以忽略，这里也就只有电阻跟电感的变化。”
“同志们，这是全新的材料跟全新的结构跟全新的制作工艺啊！
180nm制作工艺的性能已经足以跟市面上60nm制造工艺生产的射频芯片性能相抗衡，甚至一些特性要优于目前的传统芯片！
可想而知，如果这项技术用于通用芯片设计，比如cpu、gpu，这哪里是芯片？这特么是未来啊！”
老钟罕见的再次爆了句粗口！
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